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    今天准备赶去的是忠芯国际，因为有张汝金老爷子坐镇，他们这块问题算是少的了，但依然还是免不了请动江凡。

    江凡到后，张汝金亲自接待了江凡，并给他介绍了他们这块的攻坚计划以及目前完成的进度，江凡整体是非常满意的。

    介绍完进度后，张汝金安排江凡到休息室休息下，中午吃个饭，下午在去解决研发中遇到的问题。

    江凡同意，在休息室里喝咖啡刷手机折腾了一会，实在也觉得无聊，干脆自己一个人出去溜达溜达，正好溜达到了芯片研发区，就顺便进去看看。

    转了好大一圈后，突然看到一帮人正围在一起讨论着什么，江凡过去听了下。

    “你这方法不对，管体内栅氧化层只有几个原子厚度，会出现隧道电离和阈上电离，根本没法像你说的这样来处理。”一个工程师说道。

    “但是利用finfet技术，通过晶体管结构设计的变化，我们就可以绕开这个问题，弯弯的苔基电能推进到5纳米，就是采用的这个方法。”另一个工程师也不服道。

    “但现在我们是要推进到2纳米，苔基电为什么一直想做3纳米就是做不成，不就是因为这种将就妥协的办法在这种极端小尺寸芯片上已经行不通了吗？5纳米就是已经是这种变通的极限了。”第一个工程师依然据理力争。

    江凡稍微听了下就知道了，他们在讨论的是芯片生产推进到极小尺寸必然会遇到的一个量子隧穿效应的问题。

    当芯片尺寸小到7纳米乃至5纳米以下的时候，其作用力原理已经不是简单的原子分子动力学过程，而是进入量子领域，需要用量子理论来重新架构一切。

    这就好像一定速度内可以用传统力学解释，但当速度接近光速就必须要转换成相对论来解释一样，量变已经产生质变了。

    江凡想看看他们怎么解决，但争论好一会儿都没有结果，直到他们研发负责人过来才给出一个答案，平息了争论。

    但江凡觉得他讲的方法只能打60分，于是开口道：“我觉得这个办法还不够，应该要用一个更好的方法来解决这个问题。”

    大家听到有人这么说，都下意识地转过头去想看这位有何高见。

    但看到江凡的那一刹那，都愣住了。

    这谁啊？没见过啊，而且连工服都没穿，不是公司的吧，怎么混进来的？

    负责人看着江凡也眼生，绝对不是他们研发区的，看穿的倒是干干净净的，不会是公司的客户之类的不小心摸错走过来的吧？

    但客户怎么也来参与讨论了？都是封装好的产品直接教他怎么用就完了，连里面的一些基础原理他们都不懂，更不要谈芯片量子隧穿这种对于他们甚至对于张汝金这位业界大佬可能都含含糊糊的东西了。

    他也不好赶江凡走，怕真是客户得罪了，只好客气说了句：“这位先生，你不是我们这里的吧，没事，您要是走错地方找不到路的话我让小张送您到要去的地方。”

    研发负责人说完便示意了边上一个工程师让他带江凡离开。

    江凡懵了，自己正有兴致解决下问题，这怎么就要让自己走啊，愣愣地看了研发负责人两秒后，说道：“我真的会！”


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